中山大学电子与信息工程学院芯片定制技术服务采购项目

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根据课题研究需要，需要外部协助完成基于深紫外光刻的薄膜铌酸锂和氮化硅异质集成芯片晶圆级工艺开发和芯片制备、光子芯片封装、薄膜铌酸锂混合集成光探测芯片制备及贴片、测试控制电路板定制。各采购标的指标要求和数量： （1）基于深紫外光刻的薄膜铌酸锂和氮化硅异质集成芯片20片，波导损耗小于等于0.3 dB/cm，端面耦合器的单端损耗小于2 dB，光延迟芯片的总延时量大于等于500 ps，且连续可调。 （2）光延迟芯片封装数量为64 个，需完成高低温（-40°C至70°C）和可靠性测试。 （3）薄膜铌酸锂混合集成光探测芯片制备及贴片450 颗，暗电流小于等于5 nA，响应度大于等于0.5 A/W，从薄膜铌酸锂波导耦合到光探测器的损耗小于5 dB。 （4）测试控制电路板电接口包括5对低压、1对高压（-150 V至150 V）。