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历史招中标信息568条
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| ****点击查看 | 项目名称探测器后段流片服务 | |
| ****点击查看学院 | 经办人宋俊峰 | |
| 290000.00 人民币 | 成交金额290000.00 人民币 | |
| ****点击查看 | ||
| **市-市辖区-中国(**)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | 采购单位 | ****点击查看 |
| 服务完毕验收合格后100%付款。 | ||
| 177****点击查看8376 | 服务时间2025年05月16日 至 2025年05月31日 | |
| **省-**市-**大街2699号 | ||
| 以成交单为准，参考相关内容进行验收。验收程序以甲方职能部门规定为准。 | ||
| 1）质保期：货到验收合格之日起 12 个月 2）售后服务提供商：****点击查看公司 3）服务响应时间与服务内容 电话相应时间：1 小时 | ||
| 电子、通信与自动控制技术研究服务 | 名称芯片流片服务 | |
| 项 | 数量1 | |
| ￥290,000.00 | 总价￥290,000.00 | |
| 1. 服务范围 根据服务要求，完成流片过程中包括锗材料外延、锗区的离子注入、金属打孔与金属互连制作在内的关键工艺步骤。 2. 服务内容 （1）锗材料外延 ● 需在SOI基底的指定区域内完成高质量锗（Ge）外延生长； ● 外延方式建议为低温Ge种子层+高温Ge厚膜生长，厚度范围约为1–2 μm； ● 表面粗糙度要求RMS < 1 nm，以满足后续器件集成需求。 （2）离子注入与激活退火 ● 对外延Ge区域进行掺杂，掺杂类型包括p型和n型（如B、P等），注入能量和剂量将根据器件仿真参数设定； ● 注入后需执行标准退火工艺进行激活，温度与时间需与Ge兼容。 （3）金属开窗与互连制作 ● 在器件接触区域打孔以暴露接触面，适配后续金属沉积； ● 金属材料建采用Ti/TiN/Al； ● 需完成引出Pad区制作，支持探针测试或打线封装。 序号 项目 金额（万元） 1) 锗薄膜生长 9.00 2) P型离子注入 8.00 3) N型离子注入 8.00 4) 金属沉积及刻蚀 4.00 3. 服务要求 （1）流片完成后，期望交付形式为切割小片或整片（带测试Pad）； （2）对于关键器件区域，要求具备较高的重复性和一致性，若可能，请提供典型区域的工艺测试结果。 | ||
| 设 备 类：林老师: 0431-****点击查看7310 工 程 类：白老师: 0431-****点击查看7313 服务及其他货物：李老师: 0431-****点击查看7309 |
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