功率器件工艺与封装平台设备

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用于完善功率器件研发、工艺试制、检测与封装测试条件，支撑科研、教学和工程实践。设备应覆盖晶圆清洗、光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、退火、研磨抛光及工艺量测等环节，并具备芯片装联、键合、焊接、切割、外观及电性能检测等封装测试能力，形成较完整的功率器件工艺与封装支撑平台。 其中核心设备指标如下： 1. 磁控溅射台（VARIAN M2iSPUTTER）：应支持 6/8 英寸晶圆自动盒对盒传送；各溅射源应配置不低于 12 kW 的直流电源，具体以设备实际配置及随附部件为准。 2. 外延炉（金属有机物化学气相沉积，CRIUS_31*2）：应为 GaN MOCVD 外延系统，配置 31×2 英寸多片式反应器；应具备外延薄膜生长能力，薄膜生长速率、均匀性和掺杂能力以设备现有配置及验收结果为准。 交货期为合同签订后2个月内。