杭州电子科技大学2026年10月至11月政府采购意向

标的名称：180nm BCD 流片服务
数量/单位：1 Block
预算金额（元）：350000.00

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需实现的主要功能或者目标：功能：基于180 nm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺平台开展集成电路芯片流片，含电阻、电容等无源器件，以及BGA等有源电路芯片，实现对应元器件设计方案的实物制造，完成科研项目对应的技术要求。
目标：流片服务应满足对应元器件设计与制造的工艺兼容性要求，支持功能验证、关键性能测试及科研研究需求，为后续电路性能评估、设计优化和相关技术研究提供实物支撑。

需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合180 nm BCD 工艺平台的技术规范和设计规则要求。
2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。；提供基于 180 nm BCD 工艺平台的芯片流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、芯片制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。； 1.严格保护对应元器件的设计文件、版图数据及相关知识产权。
2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。； 1.按照180 nm BCD 工艺平台的实际排期及项目计划开展流片工作。
2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。
3.具体流片日期期望在2027年1月底投出gds文件，交付日期在2027年4月底。。

标的名称：0.15um GaN HEMT 流片服务
数量/单位：1个
预算金额（元）：300000.00

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需实现的主要功能或者目标：功能：基于 0.15 μm GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）工艺平台开展集成电路流片，实现相关有源器件及电路设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。
目标：流片服务应满足芯片设计与工艺平台的兼容性要求，支持元器件及电路的功能验证、关键电学/射频性能测试和科研实验，为后续性能评估、设计优化及相关技术研究提供实物支撑。

需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 0.15 μm GaN HEMT 工艺平台的技术规范和设计规则要求。
2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。；提供基于 0.15 μm GaN HEMT 工艺平台的芯片流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、芯片制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。； 1.严格保护相关元器件及电路的设计文件、版图数据及相关知识产权。
2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。； 1.按照 0.15 μm GaN HEMT 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。
2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。
3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。。

标的名称：GaAs PIN 流片服务
数量/单位：1个
预算金额（元）：170000.00

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需实现的主要功能或者目标：功能：基于 GaAs PIN 工艺平台开展 PIN 二极管相关元器件流片，实现对应元器件设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。
目标：流片服务应满足 PIN 元器件设计与制造的工艺兼容性要求，支持元器件功能验证、关键电学及射频性能测试和科研实验，为后续元器件性能评估、设计优化及相关技术研究提供实物支撑。

需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 GaAs PIN 工艺平台的技术规范和设计规则要求。
2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片或元器件的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。；提供基于 GaAs PIN 工艺平台的器件流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、元器件制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。； 1.严格保护 PIN 元器件的设计文件、版图数据及相关知识产权。
2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。； 1.按照 GaAs PIN 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。
2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。
3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。。

标的名称：0.1um GaAs pHEMT 流片服务
数量/单位：1个
预算金额（元）：270000.00

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需实现的主要功能或者目标：功能：基于 0.1 μm GaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）工艺平台开展射频/微波集成电路流片，实现相关有源器件及电路设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。
目标：流片服务应满足芯片设计与工艺平台的兼容性要求，支持元器件及电路的功能验证、关键射频性能测试和科研实验，为后续性能评估、设计优化及相关技术研究提供实物支撑。

需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 0.1 μm GaAs pHEMT 工艺平台的技术规范和设计规则要求。
2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。；提供基于 0.1 μm GaAs pHEMT 工艺平台的芯片流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、芯片制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。； 1.严格保护相关元器件及电路的设计文件、版图数据及相关知识产权。
2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。； 1.按照 0.1 μm GaAs pHEMT 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。
2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。
3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。。

标的名称：40nm CMOS MPW 流片服务
数量/单位：1 Block
预算金额（元）：800000.00

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需实现的主要功能或者目标：功能：基于40 nm CMOS 工艺平台开展多项目晶圆（MPW）流片，芯片版图尺寸为 3 mm × 4 mm，实现相关集成电路设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。
目标：流片服务应满足芯片设计与 40 nm CMOS 工艺平台的兼容性要求，支持芯片功能验证、关键性能测试及科研实验，为后续电路性能评估、设计优化和相关技术研究提供实物支撑。

需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 40 nm CMOS 工艺平台及相应工艺设计套件（PDK）的技术规范和设计规则要求。
2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，MPW 交付规格、数量及相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。；提供基于 40 nm CMOS 工艺平台的 MPW 流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、MPW 制造、进度反馈及芯片交付，并提供必要的技术支持和交付资料。芯片切割、封装及测试等配套内容以实际采购范围和合同约定为准。； 1.严格保护芯片设计文件、版图数据、工艺资料及相关知识产权。
2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。； 1.按照 40 nm CMOS 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。
2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。
3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。。